記憶體市場近期籠罩在「輝達Vera Rubin伺服器機櫃記憶體模組用量減半」的負面傳聞中，惟輝達執行長黃仁勳出面闢謠，直言「看不到記憶體短缺結束盡頭」，並宣布要採購更多SK海力士的記憶體，雙方也將攜手開發下世代記憶體技術。

法人指出，黃仁勳相關談話，粉碎輝達記憶體用量銳減傳聞，為南亞科（2408）、華邦（2344）等記憶體廠後市吞下定心丸。而輝達要採購更多SK海力士高頻寬記憶體（HBM）並攜手衝刺下世代技術，台廠中，台積電轉投資創意（3443）配合SK海力士持續布局HBM4相關搭配ASIC端IP，將成為大贏家。

黃仁勳指出，目前AI產業需求遠超過供給，供應鏈從晶圓製造、先進封裝到矽光子技術皆處於供不應求態勢，需求量大到難以滿足，研判這種情況將延續多年，加上AI基礎建設仍處於快速擴張階段，全球資料中心投資熱度並未出現降溫跡象。

談到「輝達Vera Rubin伺服器機櫃記憶體模組用量減半」傳聞，黃仁勳更是予以駁斥，強調「看不到記憶體短缺結束盡頭」。

黃仁勳表示，輝達每年已向SK海力士採購價值數十億美元記憶體，今年採購規模還將大幅增加。

輝達並宣布，與SK海力士多年期技術合作協議，將共同推進全球AI資料中心所需的下一代記憶體方案。

他強調，SK海力士將繼續是輝達最大的合作夥伴，雙方已鎖定長期協議，合作範圍也由AI超級電腦擴展至CPU、PC與機器人領域。

輝達擴大採購SK海力士記憶體並攜手開發下世代記憶體技術，創意（3443）受惠大。創意持續布局HBM4相關搭配ASIC端IP，市場預期，只要輝達等積極導入搭配HBM4與後續產品，應會帶動雲端大咖的自研晶片逐步跟進，創意搶先布局相關IP，有利爭取更多案件。

創意已在去年第1季完成3奈米HBM4 12G PHY與控制晶片IP的設計定案，並支援台積電CoWoS先進封裝技術，並於今年首季完成矽驗證，其2奈米HBM4E 16G IP也正開發中，預計今年上半年完成設計定案。創意先前布局ASIC端應用HBM3相關IP，獲多家客戶採用，HBM4領域也不缺席。

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